原料溶液、強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-295200
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306711
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】強誘電体の原料溶液中の強誘電体構成元素の構造を設計することにより結晶化温度を低減することを目的とする。【解決手段】本発明の原料溶液は、一般式ABO3で示される強誘電体を形成するための原料溶液であって、ゾルゲル原料と、 A成分およびB成分の化学両論組成が前記ゾルゲル原料と同一であるMOD原料と、を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式ABO3で示される強誘電体を形成するための原料溶液であって、ゾルゲル原料と、少なくともB成分の化学両論組成が前記ゾルゲル原料と同一であるMOD原料と、を含む、原料溶液。

IPC (11件)：

C01B13/32 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/495 , H01L27/105 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , H02N2/00

FI (11件)：

C01B13/32 , H02N2/00 B , H01L27/10 444C , H01L41/18 101D , H01L41/18 101J , H01L41/22 A , H01L41/08 D , H01L41/08 J , C04B35/00 J , B41J3/04 103H , B41J3/04 103A

Fターム (47件)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP57 , 2C057BA14 , 4G030AA07 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA13 , 4G030AA16 , 4G030AA17 , 4G030AA19 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA24 , 4G030AA25 , 4G030AA34 , 4G030AA37 , 4G030AA40 , 4G030AA43 , 4G030BA09 , 4G030BA10 , 4G030CA08 , 4G030GA10 , 4G030GA17 , 4G030GA23 , 4G042DA02 , 4G042DB01 , 4G042DB31 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 5F083FR01 , 5F083GA29 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

酸化物膜の製造方法と強誘電体メモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-320452 出願人：日本電気株式会社
ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法、及びその原料溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-113973 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 株式会社トリケミカル研究所

審査官引用 (4件)

酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-343439 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体薄膜形成用塗布液、その製造方法および強誘電体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-187835 出願人：ジェイエスアール株式会社
ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法、及びその原料溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-113973 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 株式会社トリケミカル研究所

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