酸化物膜の製造方法と強誘電体メモリの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139313
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】酸化物膜、特に強誘電体メモリの強誘電体酸化物膜を低温で形成できる製造方法を提供して、半導体集積回路の特性変動や特性劣化を招くことなく高機能なロジック、強誘電体メモリを混載可能にする。【解決手段】基板温度300°C程度でRFスパッタを行ったPZT非晶質膜について、H2濃度4%のH2/N2混合ガス中で基板温度を上げながらX線回折測定を行った結果を図に示す。300°Cを超えたあたりから、ペロブスカイト相のピークが徐々に強くなっている様子が見られ、400°C以上では鋭いペロブスカイトのピークが観測される。すなわち、還元雰囲気で熱処理を行うことにより、450°C以下の低温で強誘電性を示すペロブスカイト膜を得ることが実証された。この技術を強誘電体メモリの強誘電体膜形成に適用する。

請求項（抜粋）：

熱力学的準安定相酸化物膜を還元雰囲気ガス中で熱処理を行うことによって熱力学的安定相酸化物膜に相転移させることを特徴とする酸化物膜の製造方法。

IPC (9件)：

C01B 13/14 , C01G 25/00 , C01G 33/00 , C23C 14/58 , C30B 29/32 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8件)：

C01B 13/14 Z , C01G 25/00 , C01G 33/00 A , C23C 14/58 A , C30B 29/32 A , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Fターム (70件)：

4G042DA01 , 4G042DA02 , 4G042DB01 , 4G042DB05 , 4G042DB07 , 4G042DB22 , 4G042DB31 , 4G042DD02 , 4G042DD08 , 4G042DE03 , 4G042DE12 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G048AE05 , 4G077AA03 , 4G077BC11 , 4G077BC40 , 4G077BC41 , 4G077BC42 , 4G077DA11 , 4G077HA06 , 4G077HA11 , 4K029AA08 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB01 , 4K029BB07 , 4K029BC03 , 4K029CA05 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF13 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BH01 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR18 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-348806 出願人：株式会社日立製作所
ITO膜の形成方法及び液晶表示素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075832 出願人：ソニー株式会社
特開平4-355924

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