特許
J-GLOBAL ID：200903065242553268
光半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168455
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置の製造方法に関し、深い回折格子を形成することを可能にすると共に、熱変形防止層の消失・変形を防止する。【解決手段】 InP基板1上にIII 族元素として少なくともInを含み且つV族元素としてPとAsの少なくとも一つを含むIII-V族化合物半導体材料からなる回折格子形成層2を堆積させ、回折格子形成層2上にGaAs熱変形防止層3,5と、GaAs熱変形防止層3,5を保護する半導体保護層4,6とを少なくとも1周期以上堆積させたのち、半導体保護層4,6、GaAs熱変形防止層3,5、回折格子形成層2、及び、InP基板1の少なくとも一部をエッチング除去して回折格子7を形成し、次いで、回折格子7をInPと格子整合する半導体層で埋め込む。
請求項（抜粋）：
InP基板上にIII 族元素として少なくともInを含み且つV族元素としてPとAsの少なくとも一つを含むIII-V族化合物半導体材料からなる回折格子形成層を堆積させ、前記回折格子形成層上にGaAs熱変形防止層と、前記GaAs熱変形防止層を保護する半導体保護層とを少なくとも1周期以上堆積させたのち、前記半導体保護層、前記GaAs熱変形防止層、前記回折格子形成層、及び、前記InP基板の少なくとも一部をエッチング除去して回折格子を形成し、次いで、前記回折格子をInPと格子整合する半導体層で埋め込むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Fターム (5件)：
5F073AA64
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
