特許
J-GLOBAL ID：200903065282378205
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-058328
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276851
出願日： 2006年03月03日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、露光から後加熱までの経時での露光ラチチュードの変化を小さくするとともに液浸露光時と通常露光時との感度変化を小さくしたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】塩基性を示す構造を有し、且つ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
塩基性を示す構造を有し、且つ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025FA12
, 2H025FA17
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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