特許
J-GLOBAL ID:200903032274741729
ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-215380
公開番号(公開出願番号):特開2005-055890
出願日: 2004年07月23日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【課題】超LSI、高容量マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる、高感度であり、ラインエッジラフネス、プロファイルが良好なポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線の照射により酸を発生する化合物5〜20質量部及び(B)フッ素原子を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂100質量部を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物5〜20質量部及び
(B)フッ素原子を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂100質量部
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
IPC (3件):
G03F7/039
, G03F7/033
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/033
, H01L21/30 502R
Fターム (17件):
2H025AA01
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (3件)
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WO-00/17712号パンフレット
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独国特許第1005466号明細書
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米国特許出願公開第2001/0018162A2号明細書
審査官引用 (9件)
-
ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2000-571312
出願人:イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
-
レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-173190
出願人:旭硝子株式会社
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感刺激性組成物及び化合物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-231536
出願人:富士写真フイルム株式会社
-
感放射線性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-108824
出願人:ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-040647
出願人:松下電器産業株式会社
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レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-117209
出願人:旭硝子株式会社
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レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-281168
出願人:旭硝子株式会社
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ポジ型レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-000563
出願人:富士写真フイルム株式会社
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レジスト組成物及びそれに用いるレジスト用基材樹脂
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-279977
出願人:東京応化工業株式会社
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