処理装置及び処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224520
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037107
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】多段に配置された複数の処理室内で複数の被処理基板に所定の処理を同時に施す枚葉方式において被処理基板配置管理のフレキシビリティや搬送効率を向上させ、スループットの改善をはかること。【解決手段】この熱処理装置において、ロードロック・モジュール14は、未処理の半導体ウエハWを一時的に留め置くための上下2段のロードロック室(28H,28L)と,処理済の半導体ウエハWを一時的に留め置くための上下2段のロードロック室(30H,30L)とを左右に並置している。トランスファ・モジュール16内の搬送アーム42は、上下一対のピンセット44H,44Lで2枚の半導体ウエハW,Wを多段に支持してロードロック・モジュール14とプロセス・モジュール18との間で搬送動作を行う。プロセス・モジュール18では、2つのプロセスチャンバ54H,54Lが上下2段に配置されている。

請求項（抜粋）：

複数の被処理基板を基板搬送容器に収納して置いておくためのステーションと、密閉可能な室内で前記被処理基板に所定の処理ガスを用いて所定の処理を施すための処理室を複数多段に設けてなる処理部と、前記ステーションと前記処理部との間で前記被処理基板を複数多段に配置した状態で一時的に留め置くための基板多段配置部と、前記ステーションと前記基板多段配置部との間で前記被処理基板を1枚ずつ搬送するための第1の搬送手段と、前記基板多段配置部と前記処理部との間で前記被処理基板を複数多段に支持した状態で同時に搬送するための第2の搬送手段とを有する処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/31 B , H01L 21/68 A

Fターム (44件)：

5F031CA02 , 5F031CA05 , 5F031FA01 , 5F031FA02 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA04 , 5F031GA06 , 5F031GA45 , 5F031GA48 , 5F031GA50 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031JA19 , 5F031JA46 , 5F031JA51 , 5F031MA02 , 5F031MA03 , 5F031MA09 , 5F031MA28 , 5F031NA04 , 5F031NA09 , 5F031PA02 , 5F031PA04 , 5F031PA11 , 5F045AA06 , 5F045AB32 , 5F045AD15 , 5F045AF01 , 5F045BB08 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045DQ14 , 5F045EB03 , 5F045EB09 , 5F045EJ01 , 5F045EK07 , 5F045EK22 , 5F045EK24 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (8件)

搬送装置およびその搬送装置を有するマルチチャンバ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-109458 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-152196 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-033584 出願人：株式会社日立製作所

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