特許
J-GLOBAL ID：200903065339788847

受信器およびその製造方法

発明者：
伊藤 和弘

伊藤 和弘 について

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田中 滋久

田中 滋久 について

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藤崎 寿美子

藤崎 寿美子 について

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豊中 隆司

豊中 隆司 について

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神山 博幸

神山 博幸 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278799
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119563
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】増倍率(M)=1で平坦性の良い光感度特性を示す埋込みメサ型受光素子を有する受信器を提供する。【解決手段】埋込みメサ型構造を有するアバランシェフォトダイオード(APD)からなる受光素子は、基板101上に形成された第1メサ109の周囲の埋込み層が低抵抗の第1埋込み層110aとその上部に形成された高抵抗の第2埋込み層110bとで構成されている。これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第1メサ109の近傍に形成された第1埋込み層110a内をホットキャリアが流れるので、光電流-電圧特性に増倍率(M)=1の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜113と第2埋込み層110bとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型半導体結晶層と、前記第1導電型半導体結晶層の上部に形成された第2導電型半導体結晶層とによってpn接合が形成され、 前記第2導電型半導体結晶層には、その底部が前記pn接合に達しない第1メサが形成され、 前記第1メサの周囲には、前記第1メサを取り囲む半導体結晶からなる埋込み層を含み、その底部が少なくとも前記pn接合に達する第2メサが形成された半導体受光素子を有する受信器であって、 前記埋込み層は、半絶縁性結晶層と前記半絶縁性結晶層よりも低抵抗の導電性結晶層とを含む複数の半導体結晶層で構成されていることを特徴とする受信器。
IPC (2件)：
H01L31/107 ,  H01L27/14
FI (2件)：
H01L31/10 B ,  H01L27/14 J
Fターム (19件)：
4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA30 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  4M118HA30 ,  5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NA10 ,  5F049NB01 ,  5F049QA02 ,  5F049QA15 ,  5F049SS04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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