特許
J-GLOBAL ID:200903011529804676
導波路型光検出器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-239714
公開番号(公開出願番号):特開平11-087758
出願日: 1997年09月04日
公開日(公表日): 1999年03月30日
要約:
【要約】【課題】 高速動作が可能で、暗電流の発生を抑えた簡易な素子構造の導波路型光検出器を提供する。【解決手段】 p型導電層とn型導電層との間に低キャリア濃度の光吸収層を配置してPN接合を形成したメサストライプ構造をなすと共に、メサストライブの側面に、p型導電性の半導体層、半絶縁性半導体層、或いはエネルギギャップの大きい半導体層と半絶縁性半導体層とを含む多層構造の半導体保護層を埋め込み形成した素子構造とする。
請求項(抜粋):
p型導電層とn型導電層との間に低キャリア濃度の光吸収層を配置してPN接合を形成したメサストライプ構造の導波路型光検出器であって、前記光吸収層を備えるメサストライプの側面に埋め込み形成した半導体保護層を備えたことを特徴とする導波路型光検出器。
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体受光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-187942
出願人:古河電気工業株式会社
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特開平3-225320
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導波路型受光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-243725
出願人:古河電気工業株式会社
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