特許
J-GLOBAL ID:200903065342585329

シリカ系被膜形成用塗布液およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-051137
公開番号(公開出願番号):特開2001-115029
出願日: 2000年02月28日
公開日(公表日): 2001年04月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な比誘電率の低いシリカ系被膜形成用塗布液及びこのものを効率よく製造する方法を得る。【解決手段】 テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとからなるポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、SiO2換算濃度5〜25重量%の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。
請求項(抜粋):
テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとからなるポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、SiO2換算濃度5〜25重量%の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (5件):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (5件):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (27件):
4J002CP031 ,  4J002DF007 ,  4J002DJ016 ,  4J002EN007 ,  4J002FD147 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA01 ,  4J035AA01 ,  4J035BA11 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035EB03 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許:
審査官引用 (21件)
全件表示

前のページに戻る