特許

J-GLOBAL ID：200903074992945132

表示装置及びその作製方法

発明者： 早川 昌彦 ,  村上 智史 ,  山崎 舜平 ,  秋元 健吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109613
公開番号（公開出願番号）：特開2004-004757
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】表示装置の動作性能の安定性の向上及び回路設計における設計マージンの拡大を達成させる。【解決手段】基板上に半導体素子及び該半導体素子に接続された画素電極を設けた複数の画素を有する画素部を有した表示装置において、前記半導体素子は、層間絶縁膜として感光性有機樹脂膜を有し、該感光性有機樹脂膜に設けられた第1開口部の内壁面が第2窒化絶縁膜に覆われ、かつ、該第1開口部の内側に無機絶縁膜に設けられた第2開口部を有し、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記半導体と前記配線が接続されており、前記画素電極は、前記活性層よりも下層に設けられていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に半導体素子及び該半導体素子に接続された画素電極を設けた複数の画素を有する画素部を有した表示装置において、 前記半導体素子は、活性層、該活性層に接するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記活性層に対向するゲート電極、前記活性層の上方に設けられた第1窒化絶縁膜、該第1窒化絶縁膜の上に設けられた感光性有機樹脂膜、該感光性有機樹脂膜の上に設けられた第2窒化絶縁膜及び該第2窒化絶縁膜の上に設けられた配線を有し、前記感光性有機樹脂膜に設けられた第1開口部の内壁面が前記第2窒化絶縁膜に覆われると共に、該第1開口部の内側に前記ゲート絶縁膜、前記第1窒化絶縁膜及び前記第2窒化絶縁膜を含む積層体に設けられた第2開口部を有し、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記活性層と前記配線が接続されており、 前記画素電極は、前記活性層よりも下層に設けられると共に前記半導体素子に前記配線を介して接続されていることを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (6件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627C

Fターム (81件)：

2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA37 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092QA07 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FA02 ,  5C094HA06 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF04 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ22

引用特許：

審査官引用 (11件)

• アレイ基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195012   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-261017
  
• 発光装置及びそれを用いた電気器具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-117529   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置および表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196779   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-336709   出願人：日本鋼管株式会社
• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-354319   出願人：株式会社東芝
• 発光装置および電気器具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-053361   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368253   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-029387   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205057   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-139216   出願人：セイコーエプソン株式会社