光半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056446
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261100
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】製造工程中におけるメサ側面からのAsの脱離等を防止して、品質の向上を図る。【解決手段】メサ側面部にFe-InP層19の埋込成長を行う前に、成長界面HをHClによりエッチングする工程を設けた。

請求項（抜粋）：

Asを含むIII -V族化合物半導体層を有するメサ構造をウェットエッチングにより形成し、当該メサ構造の側部に所定の埋込層を形成した光半導体装置の製造方法において、上記メサ構造を形成した後、塩素を含むガス雰囲気中で所定時間保持する工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 21/306 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 31/10 A , H01S 3/18 , H01L 21/302 P , H01L 21/306 Q

引用特許：

審査官引用 (9件)

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Kizuki et al., "Selective metalorganic chemical vapor deposition growth of GaAs on AlGaAs combined w

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