特許
J-GLOBAL ID：200903065573639421
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258902
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜180nm帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 陽イオン及び陰イオンの両方に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフロロメチル基、メルカプト基及び水酸基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むオニウム塩よりなる酸発生剤を有する化学増幅型レジストを半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜に、157nm帯の波長を持つF2 レーザ光13を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。
請求項（抜粋）：
陽イオン及び陰イオンの両方に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフロロメチル基、メルカプト基及び水酸基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むオニウム塩よりなる酸発生剤を有する化学増幅型レジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB52
, 2H025EA04
, 2H025FA17
