半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142104
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343858
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】応力の異なる絶縁膜が積層されることに起因する絶縁膜の剥離を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に積層された複数の配線層6、14と、配線層の層間に形成された層間絶縁膜とを有する半導体装置であって、層間絶縁膜は無機系絶縁膜と有機系絶縁膜2、10とを含む積層膜であり、無機系絶縁膜は酸化シリコン層7と、窒化シリコン層8と、それらの層間に形成された酸化窒化シリコン層9とを含む積層膜であり、好適には、酸化窒化シリコン層9は酸化シリコン層7に近い側で窒化シリコン層8に近い側よりも酸素/窒素比が高くなっている半導体装置、およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された複数の配線層と、前記配線層の層間に形成された少なくとも一つの層間絶縁膜とを有する半導体装置であって、前記層間絶縁膜の少なくとも一つは、無機系絶縁膜と有機系絶縁膜とを含む積層膜であり、前記無機系絶縁膜は、酸化シリコン層と、窒化シリコン層と、前記酸化シリコン層と前記窒化シリコン層との層間に形成された酸化窒化シリコン層とを含む積層膜である半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 16/42 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/42 , H01L 21/316 X , H01L 21/90 M

Fターム (61件)：

4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA08 , 4K030LA02 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F058BA10 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (9件)

銅相互接続構造および形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097400 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176218 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平2-094438

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