特許
J-GLOBAL ID：200903065995253151
有機反射防止重合体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354492
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264921
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】【課題】 光およびフォトレジスト自体の厚さによって生じる定常波を除去し、安定した超微細パターンを形成可能な有機反射防止重合体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下記の一般式IおよびIIで表される重合体化合物。【化9】【化10】本発明による重合体を、半導体製造の際の超微細パタ-ン形成工程における反射防止膜として使用することができる。例えば、248nm(ArF)、193nm(ArF)および157nm(F2)レ-ザ-を利用するリソグラフィー工程においては下部膜の反射を防止することができ、且つ光およびフォトレジスト自らの厚さの変化によって生じる定常波を除去することができる。それによって、64M、256M、1G、4G、16G DRAMの安定した超微細パタ-ンを形成することができるので、製品の歩留り率が増大する。
請求項（抜粋）：
下記の化学式19で表される9-アントラセンメチルアクリレート。【化1】
IPC (5件)：
C08F 20/12
, C07C 67/14
, C07C 69/54
, C08F220/14
, C08F220/28
C08F 20/12
, C07C 67/14
, C07C 69/54 Z
, C08F220/14
, C08F220/28
