特許
J-GLOBAL ID：200903066021648791

エッチングマスク形成方法、エッチング方法、および半導体デバイスの製造方法

発明者：
西村 栄一

西村 栄一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115498
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267112
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】プロセス数の低減が可能であり、プロセスの単純化が容易なエッチングマスク形成方法を提供する。【解決手段】エッチングの対象となる対象層10上に、対象層10をエッチングするためのエッチングマスクを形成するマスク膜12を形成し、マスク膜12に転写されるべき第1のパターンを有する第1のマスク層16a,20をマスク膜12上に形成し、マスク膜12に転写されるべき第2のパターンを有する第2のマスク層22a,24を第1のマスク層上に形成し、第2のマスク層の第2のパターンを第1のマスク層に転写して、第1のパターンおよび第2のパターンを有する第3のマスク層を形成する第3のマスク層形成工程と、第3のマスク層を用いてマスク膜をエッチングして、対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、を含むエッチングマスク形成方法が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エッチングの対象となる対象層上に、当該対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するためのマスク膜を形成するマスク膜形成工程と、 前記マスク膜に転写されるべき第1のパターンを有する第1のマスク層を前記マスク膜上に形成する第1のマスク層形成工程と、 前記マスク膜に転写されるべき第2のパターンを有する第2のマスク層を前記第1のマスク層上に形成する第2のマスク層形成工程と、 前記第2のマスク層の前記第2のパターンを前記第1のマスク層に転写して、前記第1のパターンおよび前記第2のパターンを有する第3のマスク層を形成する第3のマスク層形成工程と、 前記第3のマスク層を用いて前記マスク膜をエッチングして、前記対象層のエッチングに使用される前記エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、 を含むエッチングマスク形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768 ,  G03F 7/20
FI (5件)：
H01L21/30 502C ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/90 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 514A
Fターム (27件)：
5F004AA04 ,  5F004DB03 ,  5F004EA37 ,  5F004EB03 ,  5F033HH33 ,  5F033NN33 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033XX03 ,  5F033XX15 ,  5F033XX33 ,  5F046AA13 ,  5F046AA20 ,  5F046DA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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