特許
J-GLOBAL ID：200903066080537480

回路基板の製造方法および回路基板

発明者：
松井 宏治

松井 宏治 について

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宗 和範

宗 和範 について

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藤井 弘文

藤井 弘文 について

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谷川 聡

谷川 聡 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 寛之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204066
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036238
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 導電体層の上面に凹凸が生じることを防止して、その導電体層上に積層される絶縁体層を良好に接合することができ、信頼性を向上させることのできる、回路基板、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 支持板32上にアウター側ビアホール24が形成されるアウター側絶縁体層22を形成する工程、アウター側ビアホール24内にアウター側絶縁体層22の上面と実質的に同じ高さとなるまでめっきによって金属を析出させて導電通路31を形成する工程、導電通路31の上面を含むアウター側絶縁体層22の上面の全体に金属薄膜29を形成する工程、金属薄膜29上に所定の回路パターン19に形成される導電体層21をめっきによって形成する工程、導電体層21が形成されていない金属薄膜29を除去する工程、導電体層21上にインナー側絶縁体層23を形成する工程、および支持板32を除去する工程を含む。
請求項（抜粋）：
支持板上に、厚さ方向を貫通する第1孔が形成される第1絶縁体層を形成する工程、前記第1孔内に、前記第1絶縁体層の上面と実質的に同じ高さとなるまでめっきによって金属を析出させて、導電通路を形成する工程、前記導電通路上を含む前記第1絶縁体層上に、金属薄膜を形成する工程、前記金属薄膜上に、所定の回路パターンに形成される導電体層をめっきによって形成する工程、前記導電体層が形成されていない前記金属薄膜を除去する工程、前記導電体層上に、第2絶縁体層を形成する工程、および前記支持板を除去する工程を含んでいることを特徴とする、回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H01L 23/12 L
Fターム (9件)：
5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346DD24 ,  5E346FF14 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG22 ,  5E346HH31
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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