特許

J-GLOBAL ID：200903066143414236

パワー半導体モジュール

発明者： 山田 靖 ,  八木 雄二 ,  西部 祐司 ,  高尾 尚史 ,  石田 清仁 ,  大沼 郁雄 ,  高久 佳和
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250622
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281412
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。【解決手段】2つの部品の間を、Bi系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記2つの部品のBi系ハンダ材による被接合面にCu層を備える。被接合部品である上記2つの部品は、半導体素子と絶縁部、又は絶縁部と放熱板の組み合わせである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Cu層を表面に備えたパワー半導体素子と、Cu層を表面に備えた絶縁基板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板とをそれぞれのCu層が対向するように配して、該2つのCu層の間を前記Bi系ハンダ材料で接合してなるパワー半導体モジュール。

IPC (9件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/373 ,  B23K 35/26 ,  B23K 35/28 ,  C22C 12/00 ,  C22C 18/04

FI (9件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/12 J ,  H01L21/52 D ,  H01L23/36 M ,  B23K35/26 310C ,  B23K35/28 310D ,  C22C12/00 ,  C22C18/04 ,  H01L21/52 E

Fターム (18件)：

5F047AA03 ,  5F047AA05 ,  5F047BA05 ,  5F047BA12 ,  5F047BB03 ,  5F047BB16 ,  5F136BA30 ,  5F136BB01 ,  5F136DA27 ,  5F136EA15 ,  5F136EA16 ,  5F136FA03 ,  5F136FA05 ,  5F136FA12 ,  5F136FA33 ,  5F136FA75 ,  5F136FA82 ,  5F136FA83

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子部品およびソルダペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-298352   出願人：株式会社村田製作所
• はんだ組成物およびはんだ付け物品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175757   出願人：株式会社村田製作所

審査官引用 (4件)

• パワーMOSFETとパワーMOSFET応用装置およびパワーMOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-142165   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-330617   出願人：株式会社東芝
• 無鉛ろう材
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-503851   出願人：イーエスイーシートレイディングエスエー
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-011369   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社