光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高村順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138871
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324672
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】垂直構造窒化物半導体発光素子、光透過性を有する伝導性基板31上に順次に形成された第1導電型窒化物半導体層34、活性層35及び第2導電型窒化物半導体層36を含む。この垂直構造窒化物発光素子は、少なくとも上記伝導性基板の下面に形成され、光透過率が70%以上の伝導性物質からなり、その外部面に光を散乱させるための凸凹パターンが形成された伝導性光散乱層を含む。【選択図】図2-a

請求項（抜粋）：

光透過性を有する伝導性基板上に順次に形成された第1導電型窒化物半導体層、活性層及び第2導電型窒化物半導体層を含む垂直構造窒化物発光素子において、少なくとも前記伝導性基板の下面に形成され、光透過率が70%以上の伝導性物質からなり、その外部面に光を散乱させるための凸凹パターンが形成された伝導性光散乱層を含むことを特徴とする垂直構造窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-170909 出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (7件)

内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-542397 出願人：クリーインコーポレイテッド
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-119223 出願人：松下電器産業株式会社
発光半導体素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-579374 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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