基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203892
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】少数枚のウエハを取り扱う小バッチ式CVD装置を提供する。【解決手段】小バッチ式CVD装置1は一度に処理するプロダクトウエハWbの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド26Bに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド26Bに収容されたプロダクトウエハWbをサイドダミーウエハ用ポッド26Aに収納されたサイドダミーウエハWaと共にボート9に装填してプロセスチューブ4で一度に処理するように構成されている。【効果】一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式CVD装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。

請求項（抜粋）：

筐体の内部にプロセスチューブが設置されており、前記プロセスチューブにおいて一度に処理する製品基板の枚数が一台の製品基板用キャリアに収納される枚数以下に設定されており、かつ、一台の製品基板用キャリアに収容された製品基板が一度に処理されることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/22 511 , H01L 21/31

FI (6件)：

H01L 21/68 N , H01L 21/68 T , C23C 16/44 F , H01L 21/205 , H01L 21/22 511 J , H01L 21/31 B

Fターム (46件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030GA13 , 4K030KA04 , 4K030KA05 , 4K030LA15 , 5F031CA02 , 5F031CA04 , 5F031CA05 , 5F031CA07 , 5F031CA11 , 5F031DA08 , 5F031DA17 , 5F031EA14 , 5F031FA01 , 5F031FA02 , 5F031FA03 , 5F031FA07 , 5F031FA09 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031GA03 , 5F031GA19 , 5F031GA42 , 5F031GA47 , 5F031GA48 , 5F031GA49 , 5F031HA61 , 5F031LA12 , 5F031LA13 , 5F031LA15 , 5F031MA15 , 5F031MA16 , 5F031MA28 , 5F031NA02 , 5F031NA07 , 5F031PA02 , 5F031PA13 , 5F031PA23 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EN05

引用特許：

審査官引用 (10件)

縦型熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271736 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-137613
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122874 出願人：古河電気工業株式会社

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