半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062512
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258212
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】基板に対して急速な加熱、冷却を行っても、基板上のSOI領域あるいはSON領域とシリコン領域との熱吸収効率の違いから生じる温度差の影響を低減でき、基板に結晶欠陥が発生するのを防止できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板11上の第1領域に、絶縁膜及び空洞のいずれか一方を介在して形成された第1の半導体層12と、半導体基板11上の第2領域に形成された複数の第2の半導体層13とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1領域に、絶縁膜及び空洞のいずれか一方を介在して形成された第1の半導体層と、前記半導体基板上の第2領域に形成された複数の第2の半導体層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 27/12 , H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 21/764 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 27/08 331 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/12 L , H01L 27/08 331 E , H01L 27/10 461 , H01L 21/76 D , H01L 21/76 L , H01L 27/10 671 C , H01L 27/04 A , H01L 21/76 A , H01L 29/78 626 C

Fターム (65件)：

5F032AA06 , 5F032AA13 , 5F032AA34 , 5F032AA82 , 5F032AC02 , 5F032BA08 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA16 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA71 , 5F032DA74 , 5F038AV06 , 5F038BH13 , 5F038BH19 , 5F038CA05 , 5F038CA06 , 5F038CA08 , 5F038CA14 , 5F038CD13 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF05 , 5F038DF12 , 5F038EZ04 , 5F038EZ06 , 5F038EZ11 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AC01 , 5F048BA09 , 5F048BA16 , 5F048BG06 , 5F048BG14 , 5F083AD00 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083LA25 , 5F083ZA03 , 5F083ZA12 , 5F110AA02 , 5F110AA23 , 5F110AA26 , 5F110BB03 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110DD30 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091686 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-160221 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置のための縦方向および横方向アイソレーションを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-066244 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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