特許
J-GLOBAL ID：200903066887855346
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126276
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303499
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】選択成長によって半導体のエッチングなしで光導波路を形成した半導体レーザの電流ブロック層の厚さを十分厚くし、ブロック構造におけるサイリスタの耐圧を向上させ高出力、高温特性の向上を実現する半導体レーザおよびその製造方法の提供。【解決手段】第一導電型半導体基板上選択成長によって活性層を含む導波路層を直接形成し(図1(b))、活性層直上にのみ成長阻止マスクを形成し第二導電型半導体ブロック層と第一導電型半導体ブロック層の一部を形成し(図1(d))、活性層直上の成長阻止マスクを除去し、第一導電型で組成の異なる半導体からなるエッチングストッパー層及び同じ組成の半導体を連続して全面に積層し(図1(f))、活性層直上にある第一導電型ブロック層とエッチングストッパー層を選択的に除去し第二導電型クラッド層で埋め込む。
請求項（抜粋）：
活性層を含む光導波路層が選択成長を用いて形成され、前記光導波路層直上にのみマスクを残し選択成長によって電流ブロック層が形成されてなる半導体レーザにおいて、前記電流ブロック層の一部に組成の異なる半導体を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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