特許
J-GLOBAL ID：200903067137339717

半導体装置

発明者：
北村 賢次

北村 賢次 について

, 
福井 太郎

福井 太郎 について

, 
日野 裕久

日野 裕久 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246651
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087789
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】大型パッケージにも適用できる生産性、信頼性等に優れた半導体装置(ウェハーレベルCSP)を提供する。【解決手段】ウェハーレベルCSPである半導体素子1のアクティブ面2に外部接続のために形成されたバンプ部3である金属ポスト(又は、ハンダバンプ)は、外部接続用端子4が接続される一方、熱硬化性樹脂層5によって、前記外部接続用端子4との接続面を除いて埋設され、同時に、裏面6にも熱硬化性樹脂層7が形成されており、前記外部接続用端子4が形成された半導体素子1のアクティブ面2をコーティング法により形成した前記熱硬化性樹脂層5で封止しているので、フィラー充填率の高い液状樹脂を使用して、ガラス転移温度(Tg)が、100°C以下の熱硬化性樹脂層5による封止も比較的容易になし得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部接続用端子を有する複数の半導体素子を形成したウェハーを封止樹脂で封止して樹脂層を形成する樹脂封止工程と、前記ウェハーを前記樹脂層と共に切断して個々の半導体素子に分離する分離工程とを、少なくとも具備する製造方法により製造される半導体装置において、前記外部接続用端子が形成された半導体素子のアクティブ面をコーティング法により形成した熱硬化性樹脂層で封止していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/29 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L23/30 R ,  H01L23/12 501C
Fターム (4件)：
4M109AA01 ,  4M109CA10 ,  4M109EB11 ,  4M109EC20
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM