特許
J-GLOBAL ID：200903067166814440

スパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッド

発明者：
村井 正己

村井 正己 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350038
公開番号（公開出願番号）：特開2006-161066
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 基板上に薄膜を均一な厚さで良好に形成することができるスパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】 白金からなる金属材料を圧延することによって形成された所定厚さの金属板を加熱して再結晶化することによって得られるスパッタリングターゲットを、その結晶組織が面内方向及び厚さ方向の何れにおいても等方性であり且つビッカース硬度の最大値が60以下であるようにする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
白金からなる金属材料を圧延することによって形成された所定厚さの金属板を加熱して再結晶化することによって得られ、結晶組織が面内方向及び厚さ方向の何れにおいても等方性であり且つビッカース硬度の最大値が60以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18
FI (10件)：
C23C14/34 A ,  B41J3/04 103H ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/18 101Z
Fターム (13件)：
2C057AF23 ,  2C057AF93 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02 ,  4K029BA13 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07 ,  4K029DC26 ,  4K029DC39
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM