半導体集積回路装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321719
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極によるギャップを、低温でかつ十分に埋め込むことができるとともに、その後の熱処理によっても分解等の変質をせず、接続孔間の絶縁性を保持することができる層間絶縁膜を提供する。【解決手段】半導体基体1の主面上のゲート電極5と、ゲート電極5と同時に形成される配線9とで形成されるギャップを、第1絶縁膜10上に形成された第2絶縁膜11で埋め込む。第2絶縁膜11は、温度25°Cにおいて粘性係数100mPa・s以下の流動性を有し、少なくとも、シリコン、窒素および水素を含み、550°C以下の酸素雰囲気においてSi-O結合を形成する被膜、たとえばポリシラザン(ペルヒドロポリシラザン)、シラニミン、シラトランまたはオルガノペンタフルオロシリケートを堆積し、これを熱処理することにより形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基体の主面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基体の主面に形成された不純物半導体領域とを有するMISFETを含み、前記MISFETの上層に形成され、かつ、前記半導体集積回路装置の金属または金属化合物からなる配線層の下層に形成された層間絶縁膜を有する半導体集積回路装置であって、前記層間絶縁膜には、その下層形状により形成された凹部を埋め込む絶縁膜を含み、前記絶縁膜は、温度25°Cにおける粘性係数が100mPa・s以下の流動性を有する被膜を堆積し、前記被膜の硬化によって形成されたものであることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/90 Q , H01L 21/95 , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042770 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
平坦化塗布絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105304 出願人：ソニー株式会社
平坦化プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-082353 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ

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