特許

J-GLOBAL ID：200903067256982768

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 橋見 一生 ,  佐藤 豪一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-042871
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049808
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 ドライエッチングにより半導体基板やポリシリコン層に生じるダメージ層を効果的に除去して、寄生抵抗や接合リークが低減された半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、 前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (11件)：

H01L 21/28 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (10件)：

H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/90 C ,  H01L27/10 621B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/06 102C ,  H01L27/08 102D

Fターム (82件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104FF16 ,  4M104FF27 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033NN07 ,  5F033NN29 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ70 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA25 ,  5F083AD10 ,  5F083AD48 ,  5F083AD56 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA06 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR36 ,  5F083PR46 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD27 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-260268   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012284   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090796   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119238   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152184   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-123681   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-349915   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-298325   出願人：三菱電機株式会社