特許
J-GLOBAL ID：200903067348485256
有機半導体を基礎としたデバイスのカプセル化方法および半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-127074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332061
出願日： 2003年05月02日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】有機半導体を基礎となすデバイスのカプセル化し、カプセル化されたデバイスが高い密封性を持つようにする。【解決手段】a)電気接続端子を取付けられた容器部分としての基板と、少なくとも1つの蓋を含む他の容器部分と、ガラスろうとを準備し、基板と他の容器部分とガラスろうとはそれらの熱膨張係数の互いの差を1.0×10-6K-1以下にすることによって熱膨張係数を互いに整合させ、b)場合によってガラスろうを結合剤または溶剤と混合し、c)ガラスろうを少なくとも蓋上に周回する壁(シームまたはビード)の形で載置し、d)場合によって結合剤および溶剤を排除し、e)ガラスろうを焼結し、f)電極を含めた半導体デバイスを表す層を基板上に設置し、g)基板上に蓋を載せ、h)予め与えられたピーク波長を持った光源によりガラスろうを局部加熱する。
請求項（抜粋）：
a)電気接続端子を取付けられた容器部分としての基板と、少なくとも1つの蓋を含む他の容器部分と、ガラスろうとを準備し、基板と他の容器部分とガラスろうとはそれらの熱膨張係数の互いの差を1.0×10-6K-1以下にすることによって熱膨張係数を互いに整合されていること、b)場合によってガラスろうを結合剤または溶剤と混合すること、c)ガラスろうを少なくとも蓋上に周回する壁の形で載置すること、d)場合によって結合剤および溶剤を排除すること、e)ガラスろうを焼結すること、f)電極を含めた半導体デバイスを表す層を基板上に設置すること、g)基板上に蓋を載せること、h)予め与えられたピーク波長を持った光源によりガラスろうを局部加熱すること、を特徴とする有機半導体を基礎としたデバイスのカプセル化方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/04
, H05B 33/14
H05B 33/10
, H05B 33/04
, H05B 33/14 A
3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007BB01
, 3K007BB05
, 3K007CA01
, 3K007DB03
, 3K007FA02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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