特許
J-GLOBAL ID：200903067489781550
SiC単結晶及びその製造方法,エピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法,並びにSiC電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128725
公開番号（公開出願番号）：特開2003-321298
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：
【要約】【課題】 転位及び欠陥をほとんど含まず高品質なSiC単結晶及びその製造方法,並びにエピタキシャル膜中に欠陥及び転位をほとんど含有しないエピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法,並びにリーク電流及び耐圧低下の発生がほとんどないSiC電子デバイスを提供すること。【解決手段】 {0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を第1成長面として露出させた第1種結晶を作製する。第(n-1)傾斜方向から<0001>を回転軸として45°〜135°回転したところに第n傾斜方向を有し,かつ{0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を第n成長面として露出させた第n種結晶を作製して,該第n種結晶の上記第n成長面上にSiC単結晶を成長させ第n成長結晶作製することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
六方晶のSiC単結晶よりなるSiC種結晶上にSiC単結晶を成長させてバルク状のSiC単結晶を製造する製造方法において,該製造方法はN回(NはN≧2の自然数)の成長工程を含み,各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合,n=1である第1成長工程においては,{0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を第1成長面として露出させた第1種結晶を作製して,該第1種結晶の上記第1成長面上にSiC単結晶を成長させ第1成長結晶を作製し,n=2,3,...,Nである連続成長工程においては,第n成長面の法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルの方向を第n傾斜方向とした場合に,第(n-1)傾斜方向から<0001>を回転軸として45°〜135°回転したところに第n傾斜方向を有し,かつ{0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を第n成長面として露出させた第n種結晶を第(nー1)成長結晶から作製して,該第n種結晶の上記第n成長面上にSiC単結晶を成長させ第n成長結晶を作製することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EA02
, 4G077ED05
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD18
, 5F045AE23
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045HA03
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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