特許
J-GLOBAL ID:200903067544429003
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止してなる半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302340
公開番号(公開出願番号):特開2000-129085
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月09日
要約:
【要約】【課題】リードフレーム特に銅系リードフレームとの接着力が高く、かつ耐リフロー性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物および該組成物により封止してなる半導体装置を提供すること。【解決手段】(A)ビフェニル型エポキシ樹脂、(B)フェノールアラルキル樹脂、(C)トリフェニルホスフィンとベンゾキノンの付加物、(D)無機充填材および(E)インデン樹脂を必須成分とし、インデン樹脂の配合量がエポキシ樹脂100重量部に対して2.5〜20重量部配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物により半導体素子を封止する。
請求項(抜粋):
(A)一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂【化1】(式中、Rは水素原子または炭素数1〜4の低級アルキル基を表し、mは0〜6の整数を示す。)(B)一般式(2)で示されるフェノールアラルキル樹脂、【化2】(式中、pは0〜6の整数を表す。)(C)トリフェニルホスフィンとベンゾキノンの付加物(D)無機充填材および(E)インデン樹脂を必須成分とし、インデン樹脂の配合量がエポキシ樹脂100重量部に対して2.5〜20重量部配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (7件):
C08L 63/00
, C08G 59/24
, C08G 59/68
, C08K 3/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L 45:00
FI (7件):
C08L 63/00 A
, C08L 63/00 B
, C08L 63/00 C
, C08G 59/24
, C08G 59/68
, C08K 3/00
, H01L 23/30 R
Fターム (28件):
4J036AD04
, 4J036AD07
, 4J036DA05
, 4J036DA06
, 4J036DA09
, 4J036DB06
, 4J036DB28
, 4J036DD07
, 4J036FB01
, 4J036FB06
, 4J036JA07
, 4J036KA05
, 4J036KA06
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA03
, 4M109EA06
, 4M109EB02
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB12
, 4M109EB19
, 4M109EC01
, 4M109EC03
, 4M109EC09
引用特許:
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