特許
J-GLOBAL ID：200903067582916465
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015359
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218015
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 基板周囲の環境を考慮した、より精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】 レジストパターンを形成する際に影響を及ぼす上記各処理における基板周囲の環境条件を複数抽出し、これらをパラメータとする関数モデル、例えば線幅モデルCD、膜厚モデルT等を予め作成し、それぞれ格納部64,65に記憶しておく。そして、実際の製品ウェハの製造段階においてこの関数モデルに基づきレジスト塗布処理ユニット(COT)におけるレジスト膜形成条件、現像処理ユニット(DEV)の現像処理条件等を制御する。これにより、上記関数モデルによって、例えば線幅を予測することによりフィードフォワード制御が可能となり、精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理部と、レジスト膜が形成された基板を現像する現像処理部と、基板に熱的処理を施す熱処理部と、前記現像処理前に露光処理を行う露光装置側に対して基板の受け渡しを行う受け渡し部と、少なくとも前記レジスト膜形成処理部、現像処理部及び熱処理部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した所望のレジストパターンを形成するための基板処理装置において、前記レジストパターンを形成する際に関与する複数のパラメータに基づき予め作成された関数モデルを格納する関数モデル格納部と、前記関数モデルに基づき、レジスト膜形成条件、前記現像処理条件、前記熱処理条件及び前記搬送機構における搬送条件のうち少なくとも1つを制御する手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16 502
, G03F 7/26 501
, G03F 7/38
G03F 7/16 502
, G03F 7/26 501
, G03F 7/38
, H01L 21/30 562
, H01L 21/30 564 C
, H01L 21/30 567
, H01L 21/30 569 C
, H01L 21/30 502 V
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025EA05
, 2H096AA25
, 2H096CA14
, 2H096FA10
, 2H096JA01
, 2H096LA30
