単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294553
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112843
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、前記イオン注入面を貼り合わせ面として、前記単結晶シリコン基板を、透明導電性接着剤を介して透明絶縁性基板と密着させる工程と、前記透明導電性接着剤を硬化させて透明導電性膜とすると共に、前記単結晶シリコン基板と前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にpn接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、前記イオン注入面を貼り合わせ面として、前記単結晶シリコン基板を、透明導電性接着剤を介して前記透明絶縁性基板と密着させる工程と、前記透明導電性接着剤を硬化させて透明導電性膜とすると共に、前記単結晶シリコン基板と前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層に前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散層を形成してpn接合を形成する工程と、前記単結晶シリコン層上に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L31/04 X , H01L27/12 B , H01L21/265 Q

Fターム (21件)：

5F051AA02 , 5F051BA03 , 5F051BA11 , 5F051BA16 , 5F051CB03 , 5F051CB11 , 5F051CB19 , 5F051CB25 , 5F051CB27 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051EA18 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F051GA20 , 5F051KA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-139086 出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (4件)

太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-147038 出願人：株式会社イオン工学研究所
半導体微粒子集合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-328536 出願人：株式会社デンソー
薄い半導体材料フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246594 出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

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