特許
J-GLOBAL ID：200903067596996291
新規なナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料、及びその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐伯 憲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-034156
公開番号（公開出願番号）：特開2006-219337
出願日： 2005年02月10日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大されたナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料の製造方法を提供。【解決手段】(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程(2)グラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間にヒドロキシ炭化水素化合物を添加する工程(4)層面間距離を固定化している材料と前記(3)の工程で添加したヒドロキシ炭化水素化合物を反応させる工程(5)未反応のヒドロキシ炭化水素化合物を除去する工程(6)残存しているヒドロキシ炭化水素化合物を炭化処理して炭化処理物にする工程(7)残存する層面間距離を固定化している材料を除去する工程によりナノポーラス炭素構造材料を製造。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程、及び(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間にヒドロキシ炭化水素化合物を添加する工程、(4)層面間距離を固定化している材料と前記(3)の工程で添加したヒドロキシ炭化水素化合物を反応させる工程、(5)未反応のヒドロキシ炭化水素化合物を除去する工程、(6)残存しているヒドロキシ炭化水素化合物を炭化処理して炭化処理物にする工程、及び(7)残存する層面間距離を固定化している材料を除去する工程、からなる層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が炭化処理物により維持されていることを特徴とするナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 31/04
, B01J 20/20
, B01J 20/30
C01B31/04 101Z
, B01J20/20 A
, B01J20/30
4G066AA04B
, 4G066AA10D
, 4G066AB06A
, 4G066AB18A
, 4G066BA31
, 4G066BA36
, 4G066CA51
, 4G066DA04
, 4G066FA17
, 4G066FA23
, 4G066FA38
, 4G146AA28
, 4G146AC04B
, 4G146AC08B
, 4G146AC17B
, 4G146AC28A
, 4G146AC28B
, 4G146AD11
, 4G146AD32
, 4G146BA02
, 4G146BA12
, 4G146CB14
, 4G146CB24
, 4G146CB35
, 4G146DA02
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (2件)
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