特許
J-GLOBAL ID：200903059721327612
III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶の製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-195666
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154254
出願日： 2004年07月01日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 結晶の成長速度の大きいIII族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶の製造装置を提供する。【解決手段】 反応容器21内に、少なくともIII族元素と、触媒剤とを含む融液1を種結晶2の周りに形成する融液形成工程と、融液1に窒素含有物3を供給して種結晶2上にIII族窒化物結晶4を成長させる結晶成長工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、上記結晶成長工程において、融液1の温度が、窒素含有物と融液との界面13から、種結晶2と融液1との界面12または種結晶2上に成長したIII族窒化物結晶4と融液1との界面14にかけて低下するように温度制御することを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器内に、少なくともIII族元素と触媒剤とを含む融液を種結晶の周りに形成する融液形成工程と、前記融液に窒素含有物を供給して前記種結晶上にIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、
前記結晶成長工程において、前記融液の温度が、前記窒素含有物と前記融液との界面から、前記種結晶と前記融液との界面または前記種結晶上に成長したIII族窒化物結晶と前記融液との界面にかけて低下するように温度制御することを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
C30B29/38 D
, C30B29/38 C
4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077EA02
, 4G077EH07
, 4G077HA02
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA26
, 4G077QA38
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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