特許
J-GLOBAL ID：200903067948423041
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012973
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 リッジ部の脇の部分における三重量子井戸活性層からのレーザ光の吸収を抑え、信頼性に優れたAlGaAs系半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 リッジ埋め込み型のAlGaAs系半導体レーザ装置の製造工程において、ヨウ素ヨウ化カリウム等のヨウ素系のエッチング液により、上クラッド層4をエッチングし<01<SP>- </SP>1>方向に平行な逆メサ型のリッジ部9を形成する。次に、n型Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>As第1電流ブロック層6とn型GaAs第2電流ブロック層7を順次形成する。この時、リッジ部9の側面は非成長面である(111)B面により形成されているので、側面部分におけるn型Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>As第1電流ブロック層6のAl組成の大きな低下を抑えることができるため、リッジ部9の脇の部分における三重量子井戸活性層3からのレーザ光の吸収を抑え、レーザ特性の劣化を防ぐことが可能である。
請求項（抜粋）：
導波路として<01<SP>- </SP>1>方向に形成された逆メサ型のリッジ部、このリッジ部の側面部を埋め込むAlGaAs層よりなる電流ブロック層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306 Q
