特許
J-GLOBAL ID：200903022426745487

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
岩田 佳久

岩田 佳久 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249073
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 セルの高集積化に適したセルアレイ構造のMRAMを提案する。【解決手段】 読み出しブロックBK11は、縦方向に積み重ねられた複数のTMR素子12から構成される。読み出しブロックBK11内のTMR素子12の一端は、読み出し選択スイッチRSWを経由して、ソース線SL1に接続される。ソース線SL1は、Y方向に延び、カラム選択スイッチ29Cを経由して、接地点に接続される。TMR素子12の他端は、それぞれ独立に読み出し/書き込みビット線BL1,BL2,BL3,BL4に接続される。読み出し/書き込みビット線BL1,BL2,BL3,BL4は、Y方向に延び、カラム選択スイッチ29Cを経由して、読み出し回路29Bに接続される。
請求項（抜粋）：
複数段に積み重ねられる磁気抵抗効果を利用してデータを記憶する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端に共通に接続される読み出し選択スイッチと、前記複数のメモリセルに対応して設けられ、第1方向に延びる複数のビット線とを具備し、前記複数のメモリセルの各々は、その他端が前記複数のビット線のうちの1つに独立に接続され、前記複数のビット線は、読み出し時に、互いに電気的に絶縁されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
G11C 11/15 150 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/15 150 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (20件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (7件)
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