特許
J-GLOBAL ID：200903003739101675
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091041
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326017
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一の厚さに塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、ポストエクスポージャーベークした後、現像液にて現像して、ポジ型パターンを形成するに際し、ベースポリマーとして、互いに異なる酸不安定基を有する2種以上のベースポリマーの混合物又は一分子中に互いに異なる酸不安定基を2種以上有するベースポリマーを使用すると共に、上記互いに異なる酸不安定基の種類及びベースポリマー中の含有量を調整することにより、レジスト膜表面から基板方向へ500Åまでの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E1と、基板表面からレジスト膜表面方向へ1000Åの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E2とが、-0.2<(E2-E1)/E2<0.2となるように調整した。【効果】 解像力及び焦点深度が高いパターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
酸によって脱離する酸不安定基を有するベースポリマーと酸発生剤と有機溶剤とを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一の厚さに塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、ポストエクスポージャーベークした後、現像液にて現像して、ポジ型パターンを形成するに際し、ベースポリマーとして、互いに異なる酸不安定基を有する2種以上のベースポリマーの混合物又は一分子中に互いに異なる酸不安定基を2種以上有するベースポリマーを使用すると共に、上記互いに異なる酸不安定基の種類及びベースポリマー中の含有量を調整することにより、上記化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に均一な厚さに塗布してレジスト膜を形成し、ポストエクスポージャーベークした後、このレジスト膜を現像液にて溶解したとき、上記レジスト膜表面から基板方向へ500Åまでの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E1と、基板表面からレジスト膜表面方向へ1000Åの溶解速度の平均が100Å/sec.になる露光量E2とが、-0.2<(E2-E1)/E2<0.2となるように調整したことを特徴とする上記化学増幅ポジ型レジスト材料におけるパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 502 R
