特許
J-GLOBAL ID：200903068205975321
In2O3材料およびそれより成る半導体装置、システム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094558
公開番号（公開出願番号）：特開2004-299963
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】本発明は、ITO薄膜より低い比抵抗値を有するIn2O3結晶とIn2O3薄膜を提供し、それを用いて低比抵抗値のIn2O3を含む材料を提供し、さらにその材料を用いた半導体装置とシステムを提供することを課題としている。【解決手段】In2O3結晶の高圧相の結晶構造である空間群D63d構造のIn2O3結晶を含むことを特徴とするIn2O3材料である。空間群D63d構造のIn2O3結晶のInサイトの一部にInのイオン半径とほぼ同等もしくはより小さなイオン半径の原子を有し、酸素サイトもしくは酸素空孔サイトの一部に酸素のイオン半径とほぼ同等もしくはより大きなイオン半径の原子を有するIn2O3材料である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
In2O3結晶の高圧相の結晶構造である空間群D63d構造のIn2O3結晶を含むことを特徴とするIn2O3材料。
IPC (4件)：
C01G15/00
, C23C16/40
, H01B1/08
, H01L21/365
C01G15/00 B
, C23C16/40
, H01B1/08
, H01L21/365
4K030AA03
, 4K030AA18
, 4K030BA42
, 4K030CA06
, 4K030FA10
, 4K030LA12
, 5F045AB40
, 5F045AC03
, 5F045AC15
, 5F045EB19
, 5G301CA02
, 5G301CA15
, 5G301CD03
