特許

J-GLOBAL ID：200903095871237898

薄膜磁気抵抗素子

発明者： 小林 伸聖 ,  村上 進 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健 ,  三谷 誠司 ,  藤森 啓安
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111301
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274599
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は、軟磁性薄膜と耐熱性の良好な巨大磁気抵抗(GMR)薄膜を複合化することによって、磁界感度が高く耐熱性の良好な薄膜磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【解決手段】該薄膜磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜とGMR薄膜を組み合わせることにより、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜の高い透磁率によって、弱磁界において高い磁界感度を示す。また、GMR薄膜の良好な耐熱性によって、200°C以上の温度環境においても良好な磁界感度を示す。

請求項（抜粋）：

軟磁性薄膜と巨大磁気抵抗薄膜とによって構成され、巨大磁気抵抗薄膜の両側に軟磁性薄膜を配置することにより、磁気抵抗効果の磁界感度を上げた薄膜磁気抵抗素子において、巨大磁気抵抗薄膜の膜厚が軟磁性薄膜の膜厚以下であることを特徴とする薄膜磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果型ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-306798   出願人：ティーディーケイ株式会社