特許
J-GLOBAL ID:200903068379233685

ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 洋子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-305873
公開番号(公開出願番号):特開平10-133368
出願日: 1996年10月31日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】 特に0.40μm以下の超微細なパターンの形成においても、残膜率がよく、露光部と未露光部の現像コントラストに優れ、露光余裕度、焦点深度幅特性、および断面形状に優れたレジストパターンの形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物、および(C)下記一般式(I)【化1】R1-SO2-X (I)(式中、R1はアルキル基、置換基を有するアルキル基、アルケニル基、アリール基または置換基を有するアリール基を表し;Xはハロゲン原子を表す)で表されるスルホン酸ハロゲン化物の少なくとも1種を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物、および(C)下記一般式(I)【化1】R1-SO2-X (I)(式中、R1はアルキル基、置換基を有するアルキル基、アルケニル基、アリール基または置換基を有するアリール基を表し;Xはハロゲン原子を表す)で表されるスルホン酸ハロゲン化物の少なくとも1種を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/022 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/022 601 ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574
引用特許:
審査官引用 (8件)
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