特許
J-GLOBAL ID：200903068552411349
超伝導体膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079591
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279194
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【目的】 高い超伝導転位温度を示し、かつ、配向性に優れた単結晶からなる超伝導体膜を作製する。【構成】 ヨウ化カリウム基板1上に、エピタキシャル成長法により、アルカリフラライドK3C60層2、K2RbC60層3、Rb2KC60層4、Rb3C60層5およびRb2CsC60層6を順に成長させる。ここで、C60は炭素原子が60個集まったフラーレン分子である。
請求項（抜粋）：
ヨウ化カリウム基板上に積層されたアルカリフラライドからなる超伝導体膜であって、上記アルカリフラライドの組成が、上記基板側から順にK3C60、K2RbC60、Rb2KC60、Rb3C60、Rb2CsC60になっていることを特徴とする超伝導体膜。
IPC (7件)：
C30B 29/36 ZAA
, C01B 31/02 101
, C01D 13/00 ZAA
, C01D 17/00 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
