配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292465
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064249
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】配線パターンを形成した基板表面に凹凸形状が形成され難く、表面形状が非常に平坦な配線パターンを形成することが可能な方法を提供する。【解決手段】本発明の配線パターンの形成方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層と、昇華性材料を含む昇華層とが当該基材側からこの順にて積層されてなる第1基材1に対し、その面内所定領域に前記昇華層側から第1の光照射を行うことで昇華層の一部を昇華させ、該光照射領域以外の領域に前記昇華層からなるバンクBを形成するバンク形成工程と、形成したバンクB間に導電層7を配置する導電層形成工程と、前記導電層7及び前記バンクBを含む導電パターン層70と被処理基材2とを対向させ、該対向させた基材に対して第2の光照射を行うことで、該導電パターン層70を当該被処理基材2に転写する転写工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層に、昇華性材料を含む昇華層を積層させる工程と、前記昇華層の所定領域に第1の光照射を行うことで前記昇華層の一部を昇華させ、該光照射領域以外の領域に前記昇華層からなるバンクを形成するバンク形成工程と、形成させたバンク間に導電層を配置させて、前記導電層及び前記バンクからなる導電パターン層を形成する導電パターン層形成工程と、前記導電パターン層と被処理基材とを対向させた状態で、前記導電パターン層が形成されていない側の前記光熱変換層の所定領域に対して第2の光照射を行うことで、該導電パターン層を当該被処理基材に転写する転写工程と、を含むことを特徴とする配線パターンの形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/3205 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L41/09

FI (8件)：

H01L21/88 B , G02F1/1343 , H01L21/28 A , H01L21/288 Z , H01L29/78 612C , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L41/08 C

Fターム (58件)：

2H092HA06 , 2H092HA15 , 2H092JA25 , 2H092JB13 , 2H092JB38 , 2H092JB58 , 2H092MA02 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA22 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA15 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD24 , 4M104DD51 , 4M104HH12 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH35 , 5F033HH40 , 5F033MM01 , 5F033PP26 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX01 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD11 , 5F110EE42 , 5F110HL22 , 5F110HM15 , 5F110NN41 , 5F110NN44 , 5F110NN52 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197801 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (5件)

多層配線基板とその製造方法および多層配線基板に使用する配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-301961 出願人：大日本印刷株式会社
微細パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-272345 出願人：松下電器産業株式会社
デバイスの製造方法並びにデバイス、非接触カード媒体及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-119447 出願人：セイコーエプソン株式会社

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