特許

J-GLOBAL ID：200903068612399831

高周波半導体装置

発明者： 井上 晃 ,  天清 宗山 ,  國井 徹郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-369677
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173556
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】ゲート・ドレイン間耐圧を低下させることなく出力電力を大きくできる高周波半導体装置を構成する。【解決手段】この発明に係る高周波半導体装置は、半絶縁性のGaAs基板24の上に配設された活性領域16と、この活性領域16の上に配設されたゲート電極18と、このゲート電極18を介して活性領域16の表面上に互いに対向して配設されたソース電極20及びドレイン電極22とを備え、活性領域16のうちゲート電極とドレイン電極との間のドレイン側活性領域16aがゲート電極からドレイン電極に向かって幅広に配設されたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半絶縁性の半導体基板と、 この半導体基板の上に配設され、導電型の半導体層からなるチャネル層を含む活性領域と、 この活性領域の上に配設されたゲート電極と、 このゲート電極を介して上記活性領域の表面上に互いに対向して配設されたソース電極及びドレイン電極とを備え、 上記活性領域のうちゲート電極とドレイン電極との間の第1の領域がゲート電極からドレイン電極に向かって幅広に配設されたことを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 L

Fターム (23件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GR15 ,  5F102GS04 ,  5F102GS07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-397982   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-233200   出願人：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315539   出願人：三菱電機株式会社
• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184688   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特開平2-262341
  
• 化合物半導体電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334585   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-235346
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-212060   出願人：日本電気株式会社