特許
J-GLOBAL ID：200903068883815547

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大内 伸仁

大内 伸仁 について

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山田 茂

山田 茂 について

, 
白石 靖

白石 靖 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015679
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりの低下を抑えつつ,高密度実装化を図ることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は,表面に複数のバンプ3が形成された第1の半導体装置110と,表面にバンプと電気的に接続される複数の端子2が形成され,第1の半導体装置の表面のバンプが形成されていない領域に搭載される第2の半導体装置120とを含み,第1の半導体装置の表面からの第2の半導体装置の高さはバンプの高さ以下であることを特徴とする。そして,第2の半導体装置は,第2の半導体装置の端子が形成されていない面が第1の半導体装置の表面と接着剤115により接合されることにより第1の半導体装置に搭載されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置において:表面に複数のバンプが形成された第1の半導体装置と;表面に前記バンプと電気的に接続される複数の端子が形成され,前記第1の半導体装置の表面の前記バンプが形成されていない領域に搭載される第2の半導体装置と;を含み,前記第1の半導体装置の表面からの前記第2の半導体装置の高さは前記バンプの高さ以下であることを特徴とする,半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 H ,  H01L 23/12 L
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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