半導体熱処理装置及び方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245069
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068425
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】縦型拡散装置において、熱処理済みの被処理物をアニール温度から室温に高速に冷却することを可能にする。【解決手段】熱処理室11の下部に直結して、ボート31を高速搬出して処理済のウェハWを冷却する予備室21を設ける。ボート上下機構40を内部にではなく外部に設けることで、予備室21の容積をボート31を収容できる程度の最小の大きさに設定する。予備室21の外壁面21bに結露しない温度で冷却する冷媒管29を巻き付けて、ウェハWからの輻射エネルギーにより予備室壁面が温度上昇するのを防止する。予備室21の内部に、室温以下に冷却されたN2ガスを熱処理済のウェハW間に供給してウェハWを冷却するノズル36を設ける。

請求項（抜粋）：

被処理物に熱処理を施す処理室に隣接して予備室を設け、前記予備室の壁面に、前記処理室から前記予備室に搬出した熱処理済みの被処理物を冷却する冷却機構を設けた半導体熱処理装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

真空容器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-059525 出願人：東京エレクトロン東北株式会社, 株式会社安川電機
特開平2-296321
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163104 出願人：国際電気株式会社

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