特許
J-GLOBAL ID:200903068976225847

炭素元素線状構造体を用いた電界効果トランジスタ化学センサー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-247446
公開番号(公開出願番号):特開2004-085392
出願日: 2002年08月27日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。【解決手段】半導体基板31に形成したソース領域32とドレイン領域34、ソース領域32とドレイン領域34間のチャネル部、及びこのチャネル部からゲート絶縁膜36により絶縁されたゲート電極52を有し、且つ、ソース領域32とドレイン領域34間に所定電圧を印加する電圧源46を含み、ゲート電極52が、上面を有する下方部分38と、その上面から上方に延び出した、カーボンナノチューブに代表される炭素元素線状構造体50により構成されている化学センサー30とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体基板に形成したソース領域とドレイン領域、ソース領域とドレイン領域間のチャネル部、及びこのチャネル部からゲート絶縁膜により絶縁されたゲート電極を有し、且つ、ソース領域とドレイン領域間に所定電圧を印加する電圧源を含む化学センサーであって、ゲート電極が、上面を有する下方部分と、その上面から上方に延び出した炭素元素線状構造体により構成されていることを特徴とする化学センサー。
IPC (4件):
G01N27/414 ,  G01N27/30 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78
FI (7件):
G01N27/30 301V ,  G01N27/30 F ,  G01N27/30 B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 301U ,  H01L29/78 301G ,  G01N27/30 301Y
Fターム (28件):
5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140AC37 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF23 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG56 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ16 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CC03 ,  5F140CC10 ,  5F140CF04
引用特許:
審査官引用 (15件)
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引用文献:
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