特許
J-GLOBAL ID：200903069016094698

基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム

発明者：
緒方 久仁恵

緒方 久仁恵 について

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田所 真任

田所 真任 について

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柴田 剛

柴田 剛 について

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篠塚 眞一

篠塚 眞一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115817
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267144
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】所定の寸法のレジストパターンを基板面内に均一に形成する。【解決手段】検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し(ステップS1)、当該レジストパターンの第1の線幅を測定する(ステップS2)。第1の線幅の測定結果に基づいて、PEB処理の加熱温度が各熱板領域毎に補正される(ステップS3、S4)。補正された加熱温度でPEB処理を行い検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し(ステップS5)、当該レジストパターンの第2の線幅を測定する(ステップS6)。第2の線幅のウェハ面内分布から線形成分を算出し(ステップS7)、当該線形成分に基づいて露光量が各露光領域毎に補正される(ステップS8、S9)。以後、補正された加熱温度でPEB処理を行うと共に、補正された露光量で露光処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成する(ステップS10)。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
基板にフォトリソグラフィー処理を行い、当該基板上にレジストパターンを形成する基板の処理方法であって、 基板上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンの第1の寸法を測定し、前記測定された第1の寸法に基づいて、レジストパターンの寸法とフォトリソグラフィー処理中の熱処理の処理温度に関する予め求められた関係から、前記熱処理の処理温度を補正する温度補正工程と、 前記補正された処理温度で熱処理を行い、基板上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンの第2の寸法を測定する寸法測定工程と、 前記測定された第2の寸法の基板面内分布を、近似曲面で表された線形成分と、それ以外の非線形成分とに分類する寸法分類工程と、 前記線形成分を複数の領域に分割し、前記各領域の線形成分に基づいて、レジストパターンの寸法とフォトリソグラフィー処理中の露光処理の処理条件に関する予め求められた関係から、前記露光処理の処理条件を前記各領域毎に補正する露光条件補正工程と、を有し、 前記温度補正工程で補正された処理温度での熱処理と、前記露光条件補正工程で補正された処理条件での露光処理とを行い、基板上に所定のレジストパターンを形成することを特徴とする、基板の処理方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/30 568 ,  H01L21/30 514E ,  H01L21/30 516D ,  H01L21/30 502V
Fターム (5件)：
5F046AA17 ,  5F046AA18 ,  5F046DA02 ,  5F046DA29 ,  5F046KA10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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