特許
J-GLOBAL ID：200903069036351050
フォトレジスト用高分子化合物及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288291
公開番号（公開出願番号）：特開2008-120841
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】ラインエッジラフネス、パターン倒れ、現像欠陥、ドライエッチング耐性等に優れたフォトレジスト用高分子化合物の提供。【解決手段】下記式(1)(Raは水素原子炭素数1〜6のアルキル基を示し、Rbは炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、塩を形成していてもよいカルボキシル基、又は置換オキシカルボニル基を示す。Aは非結合又はメチレン基を示す。nは環に結合しているシアノ基(CN)の個数であって1〜9の整数を示す。)で表されるモノマー単位を含む共重合体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)
IPC (2件)：
FI (2件)：
C08F220/36
, G03F7/039 601
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11P
, 4J100BA40P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC53P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100FA17
, 4J100JA38
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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