特許
J-GLOBAL ID：200903069067068535
誘電体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107079
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】誘電体記憶装置の微細化、高集積化に対応可能な構造の誘電体記憶装置を提供する【解決手段】少なくとも誘電体膜を用いて構成される誘電体記憶装置において、上記誘電体膜として、0°Cから80°Cの温度範囲において強誘電相転移点を持つ誘電体薄膜を備えた誘電体記憶装置とする。このように構成することにより、記憶装置の使用温度範囲で比誘電率が極大となるため、誘電体膜の薄膜化による誘電率低下が生じても、十分に電荷の蓄積を可能とし、素子の微細化、高集積化に対応することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも誘電体膜を用いて構成される誘電体記憶装置において、上記誘電体膜として、0°Cから80°Cの温度範囲において強誘電相転移点を持つ誘電体薄膜を備えたことを特徴とする誘電体記憶装置。
IPC (8件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/105
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 441
, H01L 29/78 371
