特許
J-GLOBAL ID：200903069073781790
シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296474
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】エッチング速度が速く、しかも壁面の平滑性及び直角度に優れたエッチング構造物を得ることができるシリコン基板のエッチング方法等を提供する。【解決手段】エッチング工程は、シリコン基板に常時電力を印加してバイアス電位を与えつつ、SF6ガスとフロロカーボンガスとの混合ガスを用いて、主としてエッチンググランドにおけるドライエッチングを進行させる工程と、同じく混合ガスを用いて、主としてエッチンググランドに対して垂直な構造面に保護膜を形成させる工程とが順次繰り返して行われる。ドライエッチング進行工程における混合ガスは、SF6ガス100容量に対してフロロカーボンガスを5〜12容量混合させたものとし、保護膜形成工程における混合ガスを、フロロカーボンガス100容量に対してSF6ガスを2〜5容量混合させたものとされる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、高周波電力によりプラズマ化したエッチングガスを用いて前記エッチングマスクの開口部から前記シリコン基板表面をドライエッチングして所定の構造面を形成するエッチング工程とを順次実施することによりシリコン基板をエッチングする方法であって、
前記エッチング工程を、
前記シリコン基板に常時電力を印加してバイアス電位を与えつつ、
エッチングガスとしてのSF6ガスと、保護膜形成ガスとしてのフロロカーボンガスとの混合ガスを用いて、主としてエッチンググランドにおける前記ドライエッチングを進行させる工程と、
同じく前記SF6ガスとフロロカーボンガスとの混合ガスを用いて、主としてエッチンググランドに対して垂直な前記構造面に保護膜を形成させる工程とを順次繰り返して行うようにしたエッチング方法において、
前記ドライエッチング進行工程における前記混合ガスを、SF6ガス100容量に対してフロロカーボンガスを5〜12容量混合させたものとし、
前記保護膜形成工程における前記混合ガスを、フロロカーボンガス100容量に対してSF6ガスを2〜5容量混合させたものとしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F004AA09
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA28
, 5F004EB04
