ダイヤモンド電子素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041823
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200343
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】低抵抗値であり高剛性のダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】第1の表面M1と第1の表面M1の反対側にある第2の表面M2とを有し、第1の表面M1から第2の表面M2に貫通する一または複数のコンタクトホール12の形成されたダイヤモンド基板2と、ダイヤモンド基板2の第1の表面M1上に設けられ、ダイヤモンドを含むp型のバルク層8またはバルク層20と、バルク層8またはバルク層20上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層10と、ドリフト層10上に設けられたショットキー電極16と、コンタクトホール12内に設けられ、バルク層8またはバルク層20に接続されたオーミック電極14とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の表面と該第1の表面の反対側にある第2の表面とを有し、前記第1の表面から前記第2の表面に貫通する一または複数のコンタクトホールの形成されたダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板の前記第1の表面上に設けられ、ダイヤモンドを含む所定導電型のバルク層と、前記バルク層上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層と、前記ドリフト層上に設けられたショットキー電極と、前記コンタクトホール内に設けられ、前記バルク層に接続されたオーミック電極とを備える、ことを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D

Fターム (21件)：

4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030LA11 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB15 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104DD07 , 4M104DD15 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (8件)

高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-008118 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
背面に接触子のある素子およびその素子の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-552719 出願人：ゲーエフデー-ゲゼルシャフトフュアディアマントプロドゥクテエムベーハー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-344338 出願人：株式会社東芝

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