バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 増井忠弐 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 細川伸哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-568431
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530289
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

本発明には、バックサイドビアを有する窒化ガリウム材料デバイスおよびそのデバイスを形成する方法を提供することが含まれる。そのデバイスには、シリコンなどの基体上に形成される窒化ガリウム材料が含まれる。デバイスは、また、基体と窒化ガリウム材料との間に1つ以上の非伝導層を含んでもよく、それは窒化ガリウム材料の付着を手助けできる。ビアが与えられ、非伝導層を通ってデバイスのバックサイドから延びて、ビア内に付着させた電気コンタクトと、例えば、デバイスのトップサイド上の電気コンタクトとの間の電気伝導を可能とする。かくて、本発明のデバイスは、垂直伝導であり得る。他の場合において、ビアは、例えば、光抽出を高めるために、電気コンタクトを有さなくてもよい。典型的なデバイスには、なかんずく、レーザーダイオード(LDs)、発光ダイオード(LEDs)、パワー整流ダイオード、FETs(例、HFETs)、Gunn効果ダイオードおよびバラクタダイオードが含まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体のバックサイドから延びる少なくとも1つのビアを有する基体; 前記ビア中に形成される電気コンタクト:および前記基体上に形成される窒化ガリウム材料領域を含む半導体構造物。

IPC (7件)：

H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01S5/343

FI (5件)：

H01L21/28 301B , H01L33/00 C , H01S5/343 610 , H01L29/80 U , H01L29/48 F

Fターム (34件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF27 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG12 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F073AA53 , 5F073CA02 , 5F073DA21 , 5F073DA30 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GS03 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (16件)

半導体発光素子および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118025 出願人：株式会社東芝
マイクロエレクトロニクス素子とエッチング困難な半導体材料と金属化された孔とを備えた構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-173636 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147492 出願人：ソニー株式会社

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